新型半導體薄膜的慢正電子研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、慢正電子湮沒技術由于具有研究原子尺度的缺陷結構和樣品結構隨縱向深度變化的能力，且不會對樣品結構造成破壞，在單層或多層薄膜型半導體材料的研究中有獨特優(yōu)勢。在本文中，該技術作為主要實驗手段研究了Co摻雜ZnO薄膜和AlGaN/GaN等現(xiàn)階段兩種新型寬禁帶半導體單層膜和多層膜結構。 1.Co摻雜ZnO薄膜的研究運用慢正電子束方法研究了Co摻雜ZnO薄膜結構及其隨生長溫度的變化趨勢。發(fā)現(xiàn)Co摻雜ZnO膜中的Zn空位仍然是主要的正電子湮沒

2、中心和缺陷類型；結合XRD實驗結果，發(fā)現(xiàn)Co離子占據(jù)了ZnO晶格中的Zn位，并使薄膜內部的空位濃度降低；通過不同溫度下制備的摻雜和不摻雜樣品的比較，發(fā)現(xiàn)PLD生長的Co摻雜ZnO薄膜不同于ZnO，結晶質量在溫度較低時(400℃)已經達到較高的水平。 2.AlGaN/GaN異質結構的研究慢正電子束測量得到的S-E曲線所指示的界面位置與真實界面位置出現(xiàn)了一定偏移。Raman散射實驗的結果也表明，在30nm和80nmAlGaN層厚的樣

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