勾形磁場中直拉硅單晶的模擬與磁場參數(shù)優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體產業(yè)對于大直徑,高質量單晶的迫切需求,直拉法過程中坩堝內多晶硅投料量急劇增加,由此而產生的熔體熱對流已經嚴重影響了晶體質量。 本文以6英寸直拉單晶爐(16英寸坩鍋)勾形磁場為研究對象,首先在對晶體生長中單晶爐坩堝內熔體自然對流、毛細對流的形成機理,以及質量輸運對晶體質量影響的理論分析基礎上,利用ANSYS軟件模擬分析了引起坩堝內熔體對流的溫度場分布以及晶棒上的溫度梯度,對自然對流、毛細對流的影響。然后對勾形磁場磁屏蔽體

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