染氡BEAS-2B細(xì)胞組蛋白乙?；瘜?duì)P53和MGMT基因的影響.pdf

1、目的：人永生化支氣管上皮細(xì)胞（BEAS-2B）暴露于放射性氡，觀察BEAS-2B細(xì)胞暴露后組蛋白H3乙?；淖兦闆r及對(duì)P53和MGMT基因的影響，探究氡致肺癌早期細(xì)胞內(nèi)相關(guān)分子生物學(xué)改變情況。
　　方法：BEAS-2B細(xì)胞用LHC-8無血清培養(yǎng)基于37℃,5％CO2培養(yǎng)箱培養(yǎng)。設(shè)立對(duì)照組（C）和染氡組（Rn）。將處于對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期的細(xì)胞制備單細(xì)胞懸液，以每孔1×105個(gè)細(xì)胞的數(shù)量接種于Transwell膜上，第2天細(xì)胞貼壁后置于細(xì)胞氣

2、體染毒裝置中，Transwell膜上方氡持續(xù)泵入直接對(duì)細(xì)胞染氡，膜下方通入培養(yǎng)基保持細(xì)胞濕潤(rùn)。氡濃度為20000bq/m3，染氡時(shí)間為30min，細(xì)胞染氡兩次記作染氡1代（Rn1）。每代染氡結(jié)束后收集細(xì)胞，一部分繼續(xù)下一次染氡，其余常規(guī)培養(yǎng)傳代，傳至第n代記作Rn1-n，共染氡10代，傳代40代。對(duì)照組暴露于氡本底值濃度下該裝置中，其余條件同染氡組。流式細(xì)胞儀檢測(cè)細(xì)胞的細(xì)胞周期、凋亡率及線粒體膜電位，軟瓊脂克隆形成實(shí)驗(yàn)分析細(xì)胞惡性轉(zhuǎn)化程

3、度，染色質(zhì)免疫共沉淀試驗(yàn)檢測(cè)P53基因和MGMT基因啟動(dòng)子區(qū)乙?；M蛋白H3水平，染色質(zhì)免疫共沉淀聯(lián)合RT-PCR檢測(cè)P53基因和MGMT基因mRNA表達(dá)情況，Western blot檢測(cè)各組細(xì)胞P53和MGMT蛋白表達(dá)情況。
　　結(jié)果：（1）染氡后細(xì)胞G1期縮短，S期延長(zhǎng)，染氡細(xì)胞傳代后晚期代數(shù)細(xì)胞凋亡率相比早期代數(shù)細(xì)胞降低，線粒體膜電位降低，細(xì)胞軟瓊脂克隆形成實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，BEAS-2B細(xì)胞在軟瓊脂中有較小的克隆形成率，但隨著

4、細(xì)胞染毒代數(shù)的增加以及傳代，軟瓊脂克隆形成率逐漸增高，染毒10代克隆形成率最高。（2）染氡細(xì)胞P53基因組蛋白H3乙?；捷^對(duì)照組降低，MGMT基因組蛋白H3乙酰化水平較對(duì)照組增加。（3）組蛋白H3乙酰化修飾發(fā)生后P53基因表達(dá)和蛋白表達(dá)較對(duì)照組減少，MGMT基因和蛋白表達(dá)較對(duì)照組增加。
　　結(jié)論：1.染氡后細(xì)胞出現(xiàn)惡性轉(zhuǎn)化趨勢(shì)。2、染氡后細(xì)胞P53基因組蛋白H3乙?；浇档?，MGMT基因組蛋白H3乙?；缴?。3、組蛋白H