靜電力顯微鏡測量摻雜原子分布.pdf

1、靜電力顯微鏡（Electrostatic Force Microscope）是一種非損傷性的探測半導體靜電力分布的新興技術。隨著該技術的不斷完善，靜電力顯微鏡得到了廣泛的應用跟發(fā)展。近年來研究表明，靜電力可以用來表征半導材料中摻雜原子。探測摻雜原子的傳統(tǒng)方法是掃描隧道顯微鏡技術（Scanning Tunneling Microscopy）。該技術有一個最大的缺陷就是探測距離比較短。而靜電力顯微鏡測量是靜電力（Electrostatic

2、Froce）信號，該信號的探測距離是掃描隧道顯微鏡的十倍以上。盡管有些研究已近表明靜電力可以用來表征不同摻雜原子，使用靜電力顯微鏡測量并表征半導體器件中的摻雜原子分布尚屬首次。
　　本次研究展示了兩個半導體器件在靜電力顯微鏡探測下的摻雜原子分布結果。結果表明，靜電力分布圖確實可以表征摻雜原子分布結果。顯微鏡探針與不同摻雜原子之間可以產生強弱不一的靜電力，從而造成靜電力分布圖的波動。通過靜電力的分布，可以直接推斷摻雜原子的分布。