Al2O3-AlGaN-GaNMOSHEMT器件制備及特性研究.pdf

1、由于勢壘高度有限、表面缺陷等原因而導致的柵漏電問題限制了AlGaN/GaN HEMT器件在高溫、高頻和高功率工作時的可靠性。隨后出現的金屬-氧化物-半導體MOSHEMT結構使問題得到了解決，其中發(fā)揮主要作用的就是結構中淀積在半導體材料上的柵介質層，柵介質層的好壞對器件整體的性能起到至關重要的作用。本文中使用MOCVD設備在藍寶石襯底上生長異質結材料，其組成成分為：40nm AlN成核層，1400nm非故意摻雜GaN外延層，1.5nmAl

2、N阻擋層和25nm Al0.3Ga0.7N勢壘層。室溫下霍爾效應測試得到AlGaN/GaN異質結2DEG面密度和遷移率分別為1.1?1013 cm-2和1140 cm2/V?s。制作MOSHEMT器件過程中，柵氧化層的淀積是至關重要的一個步驟。第四章中，為了進行對比實驗，本文中將同一片AlGaN/GaN異質結材料分為三份并使用ALD方法分別淀積了厚度為3.5nm、7.5nm和
　　10nm的Al2O3柵介質層。對三種不同柵介質厚度

3、的器件統(tǒng)一進行了測試并繪制了C-V特性曲線。通過測試我們發(fā)現，Al2O3層較薄時，柵電容相對較大。較厚的Al2O3介質層具有更好的鈍化效果，較薄的鈍化層并不能完全消除MOCVD異質外延生長時AlGaN表面的不平整性所帶來的影響。第二節(jié)中，通過對不同介質層厚度器件的C-V測試和仿真，確定了在Al2O3/AlGaN界面處存在有帶正電的固定電荷Qif=2.2×1013cm-2。仿真證明其存在會使器件的閾值電壓增大，C-V曲線沿負向漂移。第三節(jié)

4、中使用Terman高頻法，通過計算得出氧化層厚度為3.5nm、7.5nm和10nm時界面陷阱電荷密度Dit分別為(0.62~1.16)?1013 cm-2eV-1，(0.88~1.9)?1013 cm-2eV-1和(0.65~2.44)?1013 cm-2eV-1。隨著柵介質厚度的增大，界面陷阱密度也隨之增大。隨著Al2O3介質厚度的增加，介質層向多晶態(tài)轉變，可能出現的缺陷增多，同時介質層體陷阱的作用已不可忽視，所以總體測試結果應略大于

5、實際值。第四節(jié)使用器件模擬仿真了不同能級、不同俘獲面積的界面陷阱電荷對瞬態(tài)特性的影響。分析發(fā)現，能級越淺、俘獲面積越大的界面陷阱電荷對器件瞬態(tài)特性的影響越大。第五章中，將同一片AlGaN/GaN材料分為兩部分，一部分使用ALD淀積10nm Al2O3氧化層，另一部分先使用plasma氧化處理10min，再使用ALD方法淀積8nm Al2O3氧化層做成器件進行對比實驗。通過測試分析，發(fā)現使用plasma氧化處理過的器件閾值電壓有正向漂移的