柔性配置的化學氣相沉積反應腔體研究和設計.pdf

1、化學氣相沉積技術(CVD)是目前制備薄膜的一種主要方法,例如具有廣闊的研究和應用前景的碳化硅、氮化鎵、氧化鋅和石墨烯等新型半導體材料都可采用CVD的方法進行制備。CVD設備的反應腔體是薄膜生長工藝能否實現(xiàn),控制薄膜質量、尺寸大小和厚度的最重要因素。
　　本文首先介紹了碳化硅、氮化鎵、氮化鋅和石墨烯這四種新型半導體材料的國內外應用和制備現(xiàn)狀,闡述了材料制備的工藝和設備,結合CVD成膜的特點,提出了一種通過柔性配置,能適應碳化硅、氮化

2、鎵、氮化鋅和石墨烯等新型半導體材料制備的新型CVD設備腔體。
　　其次,在CVD成膜基礎理論的基礎下,結合流體力學、傳質傳熱的數(shù)值分析方法,建立了用以研究CVD反應腔體中影響成膜的物理化學因素的多物理場耦合模型。
　　再次,基于碳化硅、氮化鎵、氮化鋅和石墨烯成膜工藝與設備構架的研究,采用上述多物理場耦合模型,從三個方面,即生長機理和條件、反應物輸運方式、化學反應過程及其特點對工藝與設備構架的關系進行了深入的研究和總結。