樹脂炭與SiC原位復合工藝及復合體吸波性能研究.pdf

1、以酚醛樹脂為碳源，正硅酸乙酯為硅源，采用溶膠凝膠工藝，將前驅體在液相溶膠狀態(tài)均勻混合，然后通過高溫隔氧進行碳熱還原反應處理后制備復合材料。系統(tǒng)考察了原料配比、保溫時間及反應溫度對制備的復合粉體組成、結構形貌和電磁參數等性能的影響，得到了制備具有優(yōu)良吸波性能C/SiO2/SiC復合粉體的最佳工藝參數。實驗發(fā)現(xiàn)，溶膠凝膠法可以制備較均勻的凝膠前驅體，前驅體干凝膠再通過1500℃隔氧碳熱還原反應制備得到的C/SiO2/SiC復合粉體具有較好的

2、吸波性能。原料中TEOS用量對材料的組成和結構有較大的影響，隨著TEOS用量的增加，材料中生成SiC的百分含量會逐漸減少，復合體的組成成分可以改變材料的電磁參數，70％用量的TEOS制備的材料吸波性能最好。保溫時間的延長能促進SiC的結晶和生成;碳熱還原反應溫度越高，生成的SiC越多，結晶度越好，并伴隨有晶須生成。復合體的組成發(fā)生改變，其介電常數和電導率也隨之改變，進而改變材料的電磁參數和吸波性能。
　　 以氯化鐵作為碳熱還原反

3、應的催化劑，能夠在較低的溫度生成大量SiC晶須獲得C/SiCw復合體材料。通過考察催化劑用量、保溫時間及碳熱還原反應溫度對制備C/SiCw復合體材料的組成、結構形貌和電磁參數的影響，發(fā)現(xiàn)鐵催化劑能降低生成SiC的溫度，并有利于SiC晶須生成，采用鐵催化劑制備的C/SiCw復合體材料理論反射損耗大，頻寬較寬，具有較好的吸波性能。保溫時間越長，SiC顆粒和晶須的生成量越多，復合體電導率變小，介電常數有減小的趨勢，因此適當的保溫時間才能制備性

4、能較好的吸波材料;碳熱還原反應溫度越高，SiCw生成量越多，制備的材料中SiC的最高含量達94.1％，隨著熱處理溫度的升高，C/SiCw復合體材料的最大理論反射損耗先增大后減小，隨著厚度的增加，最大理論反射損耗峰位向低頻方向移動。
　　 采用溶膠凝膠與真空浸漬相結合的方法，在炭纖維編織體中成功浸漬溶膠前驅體，并使其凝膠成胚體，隔氧碳熱還原處理后得到SiC摻雜C/C復合材料，測得其具有較好的吸波性能，考察了配比對其結構和反射率的影