半導體器件低劑量率輻照效應及表征方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前，雙極型器件及電路已經廣泛應用于航空航天、核武器爆炸以及核反應堆等具有輻射性的領域。自從1991年Enlow等人發(fā)現(xiàn)雙極型器件具有低劑量率輻射損傷增強效應(enhangced low dose rate sensitivity，ELDRS)以來，國內外大量研究結果表明，許多雙極型器件及電路都具有ELDRS效應。具體表現(xiàn)為雙極型晶體管在低劑量率輻照下電流增益下降更為顯著，這是由于低劑量率輻照在SiO2鈍化層內感生了更多的氧化物陷阱電荷

2、Nox和界面態(tài)Nit電荷濃度。氧化層陷阱電荷改變Si中的表面勢；界面陷阱成為復合中心，增加表面復合速率島。進而導致低劑量率下過量基極電流明顯增大，且npn管比pnp管明顯。隨著對電子元器件低頻噪聲的深入研究，人們發(fā)現(xiàn)雙極晶體管經輻照引起的內部缺陷同樣可以導致低頻噪聲的變化。
　　 本文采用國產的2N2484(npn)、2N2907A(pnp)雙極型晶體管以及LM117、LM317可調三端穩(wěn)壓器作為實驗器件和電路，按照西安電子科技

3、大學微電子學院的要求，在西北核技術研究所60Coγ源上進行了γ射線多次劑量(10krad、30krad、50krad、70krad、100krad、150krad)和高低不同劑量率(10rad(Si)/S和0.1rad(Si)/S)的輻照試驗。并對半導體器件及電路的輻照結果、損傷機理、物理模型及表征方法進行了深入的研究。同時本文還增加了雙極型器件及電路低頻噪聲輻照變化及對比分析等內容。較為詳盡的闡述了雙極型器件及電路輻射后產生的缺陷以及

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