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文檔簡介
1、絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,即IGBT)是一種擁有載流密度大、飽和壓降低等多種優(yōu)點的功率開關器件,廣泛應用于電能變換和電力電子裝置中等重要領域。但是伴隨著IGBT模塊的功率等級、功率密度以及開關頻率的提高,IGBT的功率循環(huán)產(chǎn)生的損耗以及內(nèi)部結(jié)溫的持續(xù)波動極易引起功率器件的疲勞損壞。目前國內(nèi)外專家針對結(jié)溫波動引起的功率器件的內(nèi)在失效機理做了很深入的研究,并以此基礎上發(fā)展功率模塊的疲勞
2、壽命預測方法以及功率器件在復雜環(huán)境下運行的可靠性。本文以IGBT功率模塊作為研究的對象,在模塊電-熱模型的構(gòu)建、疲勞壽命預測、工作可靠性評估等方面展開細致的研究。
?、賹GBT模塊的機械結(jié)構(gòu)和物理結(jié)構(gòu)進行總結(jié),歸納并分析IGBT模塊兩種主要的失效形式,以熱機械應力疲勞的角度為出發(fā)點,分析導致IGBT模塊的鍵合線脫落和焊料層老化失效的內(nèi)在機理。
?、诮GBT模塊的電-熱數(shù)值模型,以疲勞累積損傷理論為基礎構(gòu)建Coffi
3、n-Mason疲勞壽命預測模型。在電-熱分析和熱-機械應力分析的基礎上,對模塊易失效的鍵合點和焊料層進行壽命預測,這種方法可以探究不同工況對模塊結(jié)溫及疲勞特性的影響,從而對模塊進行電-熱優(yōu)化設計及長期工作可靠性能的研究。
③模塊抗熱沖擊性能是影響模塊可靠性重要因素之一,從材料物理學角度和功率損耗角度探究各層材料的抗熱沖擊性能,研究表明IGBT模塊內(nèi)部的熱穩(wěn)定性問題主要是熱損傷問題,熱沖擊作用不能直接造成各層材料直接斷裂失效。<
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