高效電光聚合物薄膜制備及性能的研究.pdf

1、山東大學碩士學位論文高效電光聚合物薄膜制備及性能的研究姓名：呂增海申請學位級別：碩士專業(yè)：光學工程指導教師：任詮2001.4.10呂增海：山東大學碩士學位論文物復合的設計思想，采用PT納米微晶作為活性基元，既利用了PT晶體電光系數(shù)高(59pm／v)且性能穩(wěn)定的長處，又回避了該晶體生長困難的缺點。采用PEKC聚合物作為基質則是利用了其介電常數(shù)低，透過波長范圍寬、玻璃化溫度高等特點。本文采用旋涂法制備了四種PTPEKC納米晶聚合物復合薄膜P

2、1、P2、P3、P4，在這些樣品中，PT納米微晶的摻雜濃度分別為5％、10％、l5％、20％。然后選用電暈極化法對聚合物復合薄膜進行了極化，并研究了電暈針的距離、極化電壓、電流、溫度及時問與電光效應和極化均勻性之間的關系。本文將準波導耦合技術和波導耦合技術應用于實驗中，完善了準波導m線測量裝置，并精確地測定了薄膜的折射率和厚度參數(shù)。本文采用電容電橋法研究了聚合物復合薄膜的介電譜。首先在聚合物復合薄膜的上表面采用LDMl500真空濺射儀濺

3、射上一層金膜作為一電極：玻璃襯底的導電層與薄膜下表面接觸，作為另一電極，構成平行平板電容器。然后，利用HP4129A型阻抗分析儀測得了室溫下四種納米晶聚合物復合薄膜相對介電常數(shù)￡隨頻率的變化關系曲線，在100KHz處，P1、P2、P3、P4的相對介電常數(shù)占，分別為506、656、7t32、839。另外測得了100KHz處聚合物復合薄膜P4的相對介電常數(shù)占，隨溫度的變化曲線，并由該曲線推斷出P4的玻璃化溫度約為1900C，這一結果與理論預