ZnO基透明氧化物薄膜制備和性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種具有廣泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半導體材料，其室溫禁帶寬度是3.37eV，具有良好電學和光學特性，是制作紫外探測器件和紫外發(fā)光器件的理想材料。
　　 目前生長較高質量的ZnO薄膜通常采用藍寶石，GaN或ZnO單晶為襯底，因為他們與ZnO晶格失配較小，但這幾種材料價格昂貴，導電性差，難以集成。而在Si襯底上生長ZnO薄膜則可以克服以上缺點，但單晶Si與ZnO的晶格失配很大，很難在Si襯底上生長高質量的ZnO薄膜。本論文

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