電磁帶隙結構及其在寬帶技術中的應用.pdf

1、微波光子晶體，也稱為電磁帶隙結構或者電磁晶體，是一種具有頻率禁帶的新型周期結構，其特有的性質(zhì)使得電磁晶體具有廣泛的應用前景。本文主要對一維和二維結構的電磁帶隙結構進行數(shù)值仿真研究，研究不同結構和參數(shù)下電磁帶隙結構的特性，以掌握其帶隙與各項參數(shù)之間的內(nèi)在聯(lián)系，為電磁帶隙結構的具體設計提供指導。 文中主要運用時域有限差分方法和傳輸矩陣方法，對一維和二維介質(zhì)型電磁帶隙結構進行分析，具體包括傳統(tǒng)均勻周期電磁帶隙結構、缺陷態(tài)結構、串聯(lián)結構

2、、無序結構、二維介質(zhì)型電磁帶隙結構，此外還分析了目標覆蓋周期結構的散射特性，缺陷地結構在微波電路中的應用。文中各部分的主要研究有如下幾點： 首先，分析了傳統(tǒng)的均勻周期的電磁帶隙結構特性，給出了不同介電常數(shù)配比下電磁特性，研究發(fā)現(xiàn)，介電常數(shù)階躍變化越大，越容易頻繁地出現(xiàn)電磁帶隙。當介電常數(shù)變化相近的時候，電磁帶隙幾乎消失，很顯然當兩者相對介電常數(shù)相近的時候，電磁帶隙結構趨于單一介質(zhì)。當均勻電磁帶隙結構中引入缺陷態(tài)以后，電磁特性也發(fā)

3、生了變化，在帶隙之間出現(xiàn)了諧振峰，這種特性可以應用于諧振濾波器以及微擾法測量材料參數(shù)。為了增大帶隙的范圍，文中分析了串聯(lián)結構的電磁特性，這種串聯(lián)結構能夠?qū)崿F(xiàn)帶隙位置的串聯(lián)，因而有效地增大帶隙范圍，當然還有其他結構、如并聯(lián)結構，三元結構以及多元結構、周期間距的不均勻結構等等，隨著組成介質(zhì)元素的增加，其組合方式也越來越多。嚴格的周期結構能產(chǎn)生電磁帶隙，無序結構同樣能有效的產(chǎn)生帶隙，根據(jù)傳輸矩陣法分析了無序結構特性實現(xiàn)chebyshev濾波特

4、性，無序結構階數(shù)的增加能增加帶隙的深度和帶隙的寬度。 對于二維結構，研究發(fā)現(xiàn)，周期結構的層數(shù)不會改變電磁帶隙的位置，但能夠影響帶隙的深度。具有同樣周期間距和元胞間距的方形結構和圓形結構，帶隙的位置幾乎相同，兩者對不同模式的電磁波具有不同的電磁帶隙特性。二維結構中引入缺陷態(tài)，可以實現(xiàn)波導結構，這種電磁帶隙波導，比傳統(tǒng)的波導具有更高的效率。同時研究了目標覆蓋周期結構的散射特性，電磁帶隙能夠在某些頻段降低目標的雷達散射截面，為目標隱身