納米粒子-PMMA復(fù)合材料的制備及其性能的研究.pdf

1、通過在聚合物中引入納米粒子形成的納米粒子/聚合物復(fù)合材料,一方面可以利用聚合物分子鏈之間的排斥作用有效防止納米粒子的團(tuán)聚,另一方面聚合物材料可以為納米粒子提供基體,利用聚合物材料加工性能良好等優(yōu)點(diǎn)可以制備各種器件,因而這種復(fù)合材料有著良好的應(yīng)用前景.本文在納米粒子/PMMA復(fù)合材料的制備及性質(zhì)研究方面做了一些探索,取得了如下主要結(jié)論: 1.利用高溫?zé)嶙⑷敕?Hot injection),,分別以三辛基氧化膦(TOPO)和油酸(

2、OA)作為包覆劑制備了CdSe納米粒子;用溶膠.凝膠法制備了ZnO納米粒子.在此基礎(chǔ)上,用共混法制備了CdSe/PMMA和ZnO/PMMA納米復(fù)合材料. 2.CdSe/PMMA復(fù)合材料的熒光光譜(PL)表明:TOPO包覆的CdSe/PMMA復(fù)合材料的發(fā)光峰很寬,表現(xiàn)為中心波長為478nm、半高寬為150nm左右的寬化的單一峰;而OA包覆的CdSe/PMMA納米復(fù)合材料除了在510nm附近有發(fā)光峰以外,在400nm附近還有發(fā)光峰,

3、它與PMMA有關(guān).上述結(jié)果表明CdSe/PMMA納米復(fù)合材料的發(fā)光與CdSe納米粒子的包覆劑有關(guān). 3.OA包覆的CdSe/PMMA納米復(fù)合材料在激光持續(xù)輻照下,PL譜上表現(xiàn)出與PMMA有關(guān)的發(fā)光峰不斷減弱、而與納米粒子有關(guān)的附近的發(fā)光峰不斷增強(qiáng)且稍許紅移.FOPO包覆的CdSe/PMMA納米復(fù)合材料在激光持續(xù)輻照下,單一的發(fā)光峰也表現(xiàn)出紅移.我們把這一現(xiàn)象的起因歸結(jié)為CdSe納米粒子的表面修飾在激光輻照下發(fā)生變化以及CdSe納

4、米粒子與PMMA基體之間存在能量轉(zhuǎn)移. 4.PL譜表明:本文中所制備的ZnO納米粒子380nm附近的近帶邊發(fā)光弱于550nm附近與深能級(jí)相關(guān)的缺陷發(fā)光,而ZnO/PMMA納米復(fù)合材料在380nm左右的發(fā)光卻強(qiáng)于550nm左右的發(fā)光.上述現(xiàn)象表明:PMMA基體鈍化了ZnO納米粒子表面的缺陷. 5.將CdSe/PMMA納米復(fù)合材料拉制成光纖,它的透光率與未摻雜的PMMA光纖相比,在可見光的長波波段(600nm以上)可以相比擬