輻射對半導體磁敏器件性能影響的研究.pdf

1、用低劑量率γ射線(由<'60>Co和<'137>Cs放射源提供)和β射線(由<'90>Sr-<'90>Y放射源提供)對三種工作狀態(tài)下的InSb、GaAs、Si、Ge等半導體磁敏器件進行非永久輻照，系統(tǒng)研究了射線輻照對器件各電磁參數的影響。根據各種核素的半衰期和實際劑量率，實驗中以輻照時間表示輻照劑量。結果表明，不論器件處于哪種狀態(tài)，丫和p射線輻照都會引起所考察電磁參數發(fā)生變化，這些變化不因輻照停止而消失，反映了常溫退火過程對輻射損傷的不

2、可恢復性。在無源、無外磁場作用時，由于多種因素，使輻照所引起的電磁參數變化與射線種類、粒子能量、輻照時間的關系并不明確。恒流激勵、無外磁場作用時，三種射線輻照均導致各器件輸入端電阻隨輻照時間正比增加，由于沒有直接觀察到因電離效應所引起的載流子濃度的急劇變化(對應著輸入端電阻的迅速下降和上升)，因此原因應歸結于射線粒子的位移效應所引起的輻射缺陷，通過對比相同射線、相同時間輻照所引起的輸入端電阻變化量，不僅可以確定輸入端電阻變化量與半導體構