CMOS振蕩器噪聲理論及優(yōu)化技術研究.pdf

1、在無線通信系統(tǒng)中，隨著無線用戶更加有效使用已經(jīng)稀少的頻率資源的要求的增多，頻譜已是一種重要的商品。通信收發(fā)器主要通過本地振蕩器實現(xiàn)頻率轉換，因此接收器和發(fā)送器中的振蕩器頻譜純度是限制最多信道和用戶的因素之一。正因為如此，深入理解限制振蕩器性能的基本問題以及開發(fā)解決這些問題的設計準則是必要的。
　　本文在完成對 CMOS振蕩器領域國內(nèi)外研究現(xiàn)狀調研的基礎上，進行CMOS振蕩器噪聲理論和優(yōu)化技術研究。探討適合于高頻集成電路設計的深亞微

2、米 MOSFET高頻噪聲模型；進行 CMOS振蕩器相位噪聲建模的研究；探索 CMOS振蕩器低相噪技術的優(yōu)化方法；并且對 CMOS振蕩器的電路結構進行深入的研究，包括以下幾個方面的內(nèi)容：
　　研究深亞微米MOSFET高頻噪聲模型。首先考慮MOSFET的短溝道效應（遷移率退化、速度飽和、熱載流子效應、體電荷效應、溝道長度調制效應等）對器件噪聲的影響，將短溝道效應模型，特別是熱載流子效應的模型引入MOSFET熱噪聲模型的推導過程，以提高

3、深亞微米MOSFET熱噪聲模型的精確度；然后從高頻集成電路設計者方便使用的角度出發(fā)，提出了一種只包括器件的設計參數(shù)和工藝參數(shù)，不存在微積分表達方式和擬合參數(shù)的MOSFET熱噪聲代數(shù)解析模型，促進了深亞微米 MOSFET熱噪聲模型的易用性；最后通過溝道熱噪聲、柵極誘導噪聲和柵極電阻噪聲三種高頻噪聲源建立了完整的MOSFET器件高頻噪聲代數(shù)解析模型，對深亞微米 MOSFET的噪聲性能進行較為全面地評估，并驗證了溝道熱噪聲是MOSFET的主要

4、高頻噪聲源。
　　研究CMOS振蕩器相位噪聲模型。線性時不變分析、線性時變分析和非線性分析三種方法是研究振蕩器相位噪聲理論的主要途徑。由于線性時變分析方法在預測 CMOS振蕩器相位噪聲的準確度和易用性這兩個方面作了很好地折衷，因此將首先被用作建立CMOS振蕩器相位噪聲模型的方法；然后將提出的深亞微米 MOSFET熱噪聲模型引入 CMOS振蕩器相位噪聲模型，進一步提高CMOS振蕩器相位噪聲模型的精確度；最后通過對脈沖敏感函數(shù)進行合理

5、地簡化，進而為CMOS振蕩器設計者提供了方便使用的振蕩器相位噪聲模型。
　　研究CMOS振蕩器噪聲優(yōu)化技術。本質上來說，CMOS振蕩器內(nèi)在的相位噪聲主要來源于電阻和MOSFET的噪聲，并經(jīng)過調制作用轉化成為CMOS振蕩器的相位噪聲。因此，從電阻和深亞微米 MOSFET器件噪聲分析以及CMOS振蕩器相位噪聲分析兩方面入手，全面地分析CMOS振蕩器的相位噪聲機理，并且提出了 CMOS振蕩器噪聲優(yōu)化方法，為促進 CMOS振蕩器噪聲性能奠