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文檔簡介
1、隨著航空、航天、微電子等高新技術的迅速發(fā)展,對鋁基復合材料的綜合性能要求越來越高,MAX化合物由于兼有金屬和陶瓷的獨特性能作為增強相是當前國內(nèi)外研究的熱點。本論文主要探索了Al/Ti3SiC2系復合材料的制備工藝及物理性能研究。 研究內(nèi)容包括:(1)、制備高純的Ti3SiC2和Ti2AlC粉體材料。(2)、研究體積含量從40%~80%的Al粉和Ti3SiC2(或Ti2AlC)粉無壓燒結塊體的制備工藝。(3)、利用XRD、SEM等
2、分析手段和技術,對材料的組織和微觀結構進行分析和觀察,及進行密度、電阻率、強度等力學、電學性能測試及分析。 研究結果表明:以Al(或Sn)作為Ti3SiC2(或Ti2AlC)的合成反應助劑,可有效地抑制合成產(chǎn)物中TiC等雜質(zhì)相的生成,在此基礎上,采用常壓高溫煅燒方法可合成高純度Ti3SiC2(或Ti2AIC)粉體材料。以Al及Ti3SiC2(或Ti2AlC)粉體為原料,在650~750℃范圍內(nèi)保溫30 min無壓燒結,可得到Al
3、/Ti3SiC2或Al/Ti2AlC復合材料。 在Al/Ti3SiC2復合材料的制備中,由于Al的溶解作用,Ti3SiC2中有少量的Si被溶出,在Ti3SiC2顆粒周圍生成Al4C3、Al4SiC4及Al3Ti等多種化合物。在Al/Ti2AlC復合材料的制備中,Ti2AlC則完全分解,主要生成了Al3Ti、TiC等化合物。 在燒結溫度750℃,保溫時間30 min的工藝下,Al/Ti3SiC2復合材料的彎曲強度平均值在1
4、36.77 MPa到225.53 MPa之間,同時隨著Ti3SiC2體積含量的增加,復合材料的強度下降;電阻率平均值在0.1119μΩ·m~0.7344μΩ·m之間,復合材料有比較低的電阻率:密度在2.74 g/cm3到2.910 g/cm3之間,復合材料的密度比Ti3SiC2材料大大降低;同時由于Al粘結相的低硬度和好的界面變形協(xié)調(diào)性,使得Al/Ti3SiC2復合材料的硬度大大降低。 在燒結溫度650~750℃溫度范圍內(nèi)保溫3
5、0 min,Al/Ti2AlC復合材料的彎曲強度平均值在69.58 MPa~291.97 MPa之間,隨著Ti2AlC體積含量的增加,復合材料的強度下降,同時隨著燒結溫度升高,冷壓壓力增大,材料的強度有所提高。復合材料的電阻率平均值在0.147μΩ·m~0.8281μΩ·m之間,有較低的電阻率。密度在2.5199 g/cm3到2.9811g/cm3之間,可見,用比重小的Al制備Al/Ti2AlC復合材料,其密度比Ti2AlC陶瓷材料明顯
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