溶膠-凝膠法制備Al-F共摻雜的ZnO薄膜及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種具有六角纖鋅礦結構的氧化物半導體材料,具有優(yōu)異的光電性能,在透明電極、平面顯示、太陽能電池等領域應用很廣。未摻雜的ZnO材料遠不能滿足這些光電器件研制的要求,因此必須通過摻雜來調整ZnO材料中的載流子濃度,從而調節(jié)或改善其性能。如通過摻雜Ⅲ族元素(B,Al,Ga,In)或者Ⅶ族元素(F,Cl)等來提高其導電性能。其中,摻Al的ZnO薄膜(AZO)作為最具有發(fā)展前途的透明導電材料之一而被廣泛研究。而F摻雜型ZnO薄膜

2、亦被研究是因為F元素可在ZnO晶格點陣中形成置換晶界,導致自由電子濃度的增加從而提高導電性。 本文以二水合醋酸鋅(Zn(CH3COO)2·2H2O)作為前驅體,乙二醇甲醚(C3H8O2)作為溶劑,乙醇胺(HOCH2CH2NH2)作為穩(wěn)定劑,采用溶膠-凝膠法在玻璃基體上制備了ZnO:F:Al薄膜。主要研究了溶膠濃度、退火氣氛、退火溫度以及摻雜濃度對薄膜的晶體結構、表面形貌、電阻率以及透光性能的影響。利用X射線衍射(XRD)、掃描電

3、子顯微鏡(SEM)、四探針測試儀、光譜儀等對所制備的薄膜進行了表征和性能研究。 研究表明:采用溶膠-凝膠法所制備的ZnO:F:Al薄膜為六角纖鋅礦結構,溶膠濃度(0.55M-0.95M)為0.65M時薄膜的結晶性能最好。摻雜濃度和熱處理過程(退火溫度、退火氣氛)能顯著影響薄膜的結晶質量、表面形貌和光電性能。不同濃度的Al-F共摻雜(0.25at%~1.00at%)均能提高薄膜的導電性能,當二者的摻雜濃度皆為0.75at%時,薄膜

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