集成電路靜電放電（ESD）保護器件及其保護機理的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩67頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、靜電放電(簡寫為ESD)是集成電路(簡寫為IC)在制造、運輸、以及使用過程中經常發(fā)生并導致IC芯片損壞或失效的重要原因之一。工業(yè)調查表明大約有40﹪的IC失效與ESD/EOS(過強的電應力)有關。因此，為了獲得性能更好更可靠的IC芯片，對ESD開展專門研究并找到控制方法是十分必要的。隨著芯片尺寸的持續(xù)縮小，ESD問題表現(xiàn)得更加突出，已成為新一代集成電路芯片在制造和應用過程中需要重視并著力解決的一個重要闖題。 本論文以ESD保護器

2、件作為研究對象，詳細分析了接地柵NMOS作為保護器件在瞬態(tài)高強度ESD應力作用下的電學和熱學行為，給出了這種保護器件對持續(xù)時間約100ns、強度約上千伏的ESD應力的瞬態(tài)響應過程；研究了觸發(fā)后寄生橫向NPN晶體管的導通過程、放電過程中的溫度變化以及瞬態(tài)應力對電場分布、電流分布、溫度分布造成的影響；分析討論了二次擊穿的發(fā)生條件；給出了器件制造參數(shù)如襯底摻雜濃度對放電行為的影響并做了相應討論。 論文所做的研究工作和取得的結果完全基于

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論