帶有熱管的新型CVD反應器的設計和研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在多晶硅產(chǎn)業(yè)中，硅烷法作為生產(chǎn)電子級高純多晶硅的新型方法有著改進西門子法所不具備的優(yōu)點：硅烷的分解溫度較低、能耗少、硅烷作為原料氣容易提純、產(chǎn)出的多晶硅純度高、原料氣中硅的質(zhì)量分數(shù)高（w=87.5％）、硅烷消耗少等，是一種非常有發(fā)展前景的新工藝。但是硅烷法在生產(chǎn)高純度多晶硅面臨的一個主要問題是多晶硅還原爐內(nèi)局部溫度過高（T>400℃），容易產(chǎn)生粉末硅污染硅棒，影響硅棒質(zhì)量品質(zhì)，不能夠達到電子級高純多晶硅的要求。
　　本文主要研究開

2、發(fā)一種新型的多晶硅還原爐，以彌補傳統(tǒng)反應器的不足之處。新型多晶硅還原爐是在傳統(tǒng)多晶硅還原爐的基礎上進行設計和開發(fā)的，對傳統(tǒng)多晶硅還原爐主要做了以下三點改進：（1）在硅棒周圍增設了外壁面高度拋光的熱管；（2）爐膛內(nèi)部中央出氣口處增設了導流筒；（3）增加了內(nèi)插進氣口。本文的研究重點是研究新型還原爐內(nèi)的流場及溫度場規(guī)律。對新型還原爐的模擬研究發(fā)現(xiàn)：導流筒對還原爐頂部氣體起到了收集和導出的作用；熱管結構的加入也對爐內(nèi)氣體的流動起到限制與引導的作

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