脈沖激光沉積法制備高質(zhì)量ZnO薄膜及其緩沖層的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種寬帶隙(室溫下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體，激子結(jié)合能為60meV，具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。ZnO薄墨菊有良好的透明導(dǎo)電性、壓電性、光電性、氣敏性和壓敏性，且易于與多種半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)集成化。由于這些優(yōu)異的性質(zhì)，使其具有廣泛的用途和許多潛在用途，如聲表面波器件、平面光波導(dǎo)、透明電極、紫外光探測(cè)器、壓電器件、壓敏器件、紫外發(fā)光器件和氣敏傳感器等。近年來(lái)，對(duì)其研究和開(kāi)發(fā)在國(guó)內(nèi)外科學(xué)界及工業(yè)部門(mén)引起了極大的關(guān)注和興趣。

2、 本文通過(guò)采用脈沖激光沉積法在單晶Si(100)襯底上生長(zhǎng)了沿c軸高度取向的高質(zhì)量ZnO薄膜。襯底溫度、環(huán)境氧壓、脈沖頻率是影響薄膜質(zhì)量非常重要的三個(gè)因素。通過(guò)AFM、XRD和PL譜測(cè)試研究這三個(gè)因素對(duì)所制備薄膜的表面形貌、結(jié)晶性能和光學(xué)性質(zhì)的影響。進(jìn)行了ZnO薄膜可控生長(zhǎng)方面的研究，對(duì)ZnO薄膜的制備條件進(jìn)行了優(yōu)化。 論文進(jìn)行了ZnO薄膜緩沖層的研究。ZnO與Si襯底失配度較大，所生成ZnO薄膜的質(zhì)量受到影響。本文引入了緩