醫(yī)用電容器電極材料的水熱一步合成及其電化學(xué)性能.pdf

1、鎳鈷氫氧化物雖然具有較高的理論比電容，但是其電子和離子導(dǎo)電性較差，這也限制了其在高性能超級電容器里的應(yīng)用。本文利用水熱一步合成的方法，通過將還原氧化石墨烯與鎳鈷氫氧化物復(fù)合以及將鎳鈷氫氧化物的結(jié)構(gòu)制備成具有高比表面積的層狀結(jié)構(gòu)的方式來增加鎳鈷氫氧化物的導(dǎo)電性能。具體方案如下：
　　(1)還原氧化石墨烯復(fù)合金屬氫氧化物：在制備石墨烯復(fù)合材料之前，氧化石墨烯會進(jìn)行一個單獨的還原過程。由于還原后的氧化石墨烯上的羧基、羥基等含氧基團(tuán)的減少

2、所引起的團(tuán)聚會導(dǎo)致后續(xù)的與金屬氫氧化物的復(fù)合不完全，從而不能很有效的提升導(dǎo)電性。為了避免這種現(xiàn)象的產(chǎn)生，本文在制備復(fù)合物的過程中采取一步還原復(fù)合的方法。六次甲基四胺在水熱的條件下可以分解為氨水和具有還原性的甲醛；通過將鎳鈷前軀體、氧化石墨烯和六次甲基四胺(HMT)同時添加到反應(yīng)釜中，利用HMT所具有的還原性和均相沉淀劑的作用一步制備了還原氧化石墨烯復(fù)合鎳鈷氫氧化物(Ni/Co-DH-RGO)。這種合成方式不僅可以省去逐滴滴加沉淀劑的過程

3、，同時也避免了合成過程中的團(tuán)聚現(xiàn)象。交流阻抗圖譜表明用同樣方法制備的沒有添加還原氧化石墨烯的鎳鈷氫氧化物的電荷轉(zhuǎn)移電阻是14.01Ω，而所制備的Ni/Co-DH-RGO電荷轉(zhuǎn)移電阻卻只有4.21Ω?；跇悠種i/Co-DH-RGO的電極材料在1A g?1的電流密度下的比電容為2120 F g?1。當(dāng)電流密度變?yōu)?A g?1時，其比電容依然可以保持為1569.8 F g?1。
　　(2)層狀鎳鈷氫氧化物：十六烷基三甲基溴化銨(CTA