凝聚態(tài)光譜在半導體材料和器件中的應用.pdf

1、凝聚態(tài)光譜測量作為一種有效、無損的測量手段，被廣泛應用于研究半導體材料和器件的性質(zhì)。本文首先介紹了半導體中基本光學過程，同時簡介了研究樣品的測量儀器真空紫外光譜儀和傅立葉變換光譜儀。然后，用光譜為測量手段分別討論了多晶硅、碲化鋅以及砷化鎵材料的性質(zhì)。 通過擬合多晶硅在帶隙以下的變溫透射譜，研究了多晶硅中帶尾性質(zhì)。利用反應離子刻蝕后的碲化鋅晶體不同溫度下的反射譜，我們研究刻蝕后晶體中激子極化激元性質(zhì)。經(jīng)過刻蝕的碲化鋅晶體中的激子能量發(fā)

2、生紅移現(xiàn)象。我們建立了多層反射模型，在考慮了附加邊界條件的情況下，擬合出樣品在帶隙以下不同溫度的反射譜。通過計算，我們得到激子能量紅移和刻蝕功率之間的關系。最后，我們討論了n-GaAs同質(zhì)結探測器中的載流子性質(zhì)。探測器是多層結構，每層摻雜濃度不同。通過擬合樣品在不同溫度下的反射譜，我們計算得到每層中的載流子濃度，并且得到了載流子隨溫度變化的性質(zhì)。在計算中，結合了前兩章的談論，在本征層中考慮了激子極化激元效應，在重摻雜層中考慮了帶尾效應