磁性薄膜磁光科爾效應的數值計算.pdf

1、該文應用經典4×4矩陣法研究了磁性多層膜、顆粒膜的磁光科爾效應,重點研究了磁光科爾譜與入射光波長或光子能量、入射角度及其介質層厚度等因素之間的關系,此外還結合界面等效層理論研究了磁性多層膜中界面屬性對磁光科爾效應的影響.主要內容安排如下:1.首先介紹磁光效應的基本知識,特別介紹了磁光科爾效應的三種機制:極向磁光科爾效應、縱向磁光科爾效應和橫向磁光科爾效應.然后介紹了磁光存儲記錄和擦除記錄的基本原理,分析了磁光存儲的現狀以及展望了磁光存儲

2、未來的發(fā)展前景.在第二章中重點介紹了4×4矩陣法和界面等效層理論的基本思想.2.重點研究了三種具有代表性的磁性薄膜Co/Pt、MnBi和Ni<,x>SiO<,2(1-x)>,研究這些磁性薄膜的磁光特性與入射光的波長、光子能量、入射角度和磁性層厚度之間關系,結果表明,用4×4矩陣法計算出來的隨波長或光子能量的磁光特性與實驗測量結果符合得很好,充分說明了4×4矩陣法在研究磁性多層膜的磁光特性方面的可行性.對于不同的磁性薄膜,在一定波長的光的

3、垂直入射下,計算的科爾旋轉角θ<, k>和科爾橢圓率η <,k>隨磁性層厚度變化曲線出現科爾譜極大值;在磁性層厚度一定的情況下,當入射光以某一角度入射時,計算的科爾旋轉角θ <,k>和科爾橢圓率η <,k>隨入射角變化曲線出現極大值.3.基于4×4矩陣法和界面等效層理論,研究了Co/Pt、MnBi多層膜系統中界面特性對磁光科爾效應的影響,具體分兩部分討論:(1)界面層中各介質厚度比對磁光科爾效應的影響作用;(2)研究界面混合磁性層的磁化