雙勢壘拋物量子阱阱寬對電子磁隧穿的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、自江崎和朱兆祥提出超晶格概念以來,半導體超晶格和量子阱中的電子輸運現象就成為國際熱點之一。尤其是共振隧穿,人們可以沿平行于、垂直于或傾斜于半導體異質結生長方向施加磁場。同樣在半導體生長技術的發(fā)展下,量子阱可以做成各種形狀,諸如方型、拋物型、三角型等。
　　本文詳盡研究了由AιGa1-χAs/GaAs材料構成的雙勢壘拋物量子阱中電子在橫向磁場中的隧穿問題,計算并模擬了對稱結構和非對稱結構關于阱寬對電子隧穿的傳輸系數的影響。橫向磁場對

2、電子隧穿過程的影響較為復雜,主要原因是由于電子橫向動量守恒被破壞。我們采用轉移矩陣理論計算了對稱結構和非對稱結構對于各種阱寬的傳輸系數。發(fā)現隨著隨著阱寬的增加,共振峰逐漸向低能方向移動。阱寬較小時,變化劇烈;阱寬較大時,變化緩慢。隨著阱寬的增加,共振峰逐漸增多,共振峰由平緩逐漸變尖銳,共振峰之間的間距逐漸減小。對稱結構較非對稱結構共振峰更尖銳,更易產生共振隧穿現象。對于一定的阱寬,沿異質結生長方向施加的橫向磁場致使共振峰向高能級移動,這

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