寫入光調制光折變晶體兩波耦合及其圖像存儲.pdf

1、本論文以波長532nm、632.8nm激光為光源，采用非同時讀出條件下的兩波耦合實驗裝置，利用實時數據采集系統，記錄了Ce：KNSBN晶體中光扇效應隨寫入光參量的變化情況，研究了泵浦光調制下的晶體兩波耦合及圖像存儲。論文給出了單束泵浦光(532nm)入射Ce：KNSBN晶體時，光扇效應隨寫入光偏振態(tài)、寫入光強度、寫入光夾角的變化情況，得到異常偏振光(e光)入射晶體的條件下其光扇效應明顯，且存在寫入光強度閾值特性，當寫入光夾角小于28°時

2、，寫入光強度大于51.0mW/cm2時光扇效應才明顯，在寫入光夾角為28°～36°時，寫入光強度閾值為38.2mW/cm2；在相同的寫入光強度下，在寫入光夾角為30°獲得最大穩(wěn)態(tài)光扇強度。在非同時讀出兩波耦合實驗裝置中對泵浦光進行調制，在信號光滯后泵浦光打開條件下，研究了泵浦光調制頻率及增益改善隨寫入光夾角、寫入光光強比及寫入光總光強的變化規(guī)律，發(fā)現泵浦光調制對光扇噪聲有抑制作用，獲得了有利于抑制光扇噪聲的寫入光參量及調制頻率：當入射光